Академік РАН, Голова Ради директорів ПАТ "Мікрон", Генеральний директор АТ "НДІМЕ", доктор технічних наук, професор.

Академік РАН, Голова Ради директорів ПАТ "Мікрон", Генеральний директор АТ "НДІМЕ", доктор технічних наук, професор.

Випускник фізико-технічного факультету Московського інституту електронної техніки 1981 року.
З 1981 року (послідовно) інженер, провідний інженер, начальник модуля, начальник цеху, заступник генерального директора,
З 1991 року - генеральний директор ВАТ «НДІМЕ та Мікрон», генеральний директор ВАТ «НДІМЕ» (з 2011 року виділено в окреме дочірнє підприємство).
У 1999-2003 рр. - генеральний директор Концерну «Науковий центр»
У 2005-2012 рр. - керівник бізнес-напряму «Мікроелектронні рішення» у ВАТ «Сітронікс».
Член-кореспондент РАН (1997), академік РАН (2008) з Відділення нанотехнологій та інформаційних технологій, почесний доктор Академічного університету РАН (2015), член російської Академії інженерних наук ім. А.М. Прохоров.
Автор та співавтор понад 300 наукових праць у вітчизняних та зарубіжних рецензованих виданнях, чотирьох наукових монографійта понад 40 авторських свідоцтв та патентів.
Керівник міжвідомчої Ради основних конструкторів з електронної компонентної бази РФ, перебував у Раді за Президента Російської Федераціїз науки та освіти, член Консультативної наукової Ради Інноваційного центру«Сколково», голова наукової Ради РАН «Фізико-хімічні основи напівпровідникового матеріалознавства», співголова експертної Ради з питань інноваційної діяльностіта впровадження наукомістких технологій Державної ДумиРосійської Федерації, член 2-х експертних порадіз присудження премії Уряду РФ у галузі науки і техніки, входить до складу Ради керівників EMEA Leadership Council – Глобального альянсу виробників напівпровідників (GSA).
Очолює базову кафедру «мікро та наноелектроніки» у Московському фізико-технічному інституті (ГУ) та базову кафедру «Субмікронна технологія НВІС» у Національному дослідному університеті«МІЕТ», керує підготовкою фахівців вищої кваліфікації з актуальних та перспективних напрямків нано- та мікроелектроніки.
Головний редактор журналу "Електронна техніка. Серія "Мікроелектроніка", член редколегії журналів "Мікроелектроніка", "Електроніка. Наука. Технологія. Бізнес", "Нано- та мікросистемна техніка".
Нагороджений орденом Пошани (1999), орденом «За заслуги перед Вітчизною» IV ступеня (2008), орденом Дружби (2014), Державною премією Російської Федерації (2014), двома преміями Уряду РФ у галузі науки і техніки (1999, 2009), медаль ЮНЕСКО «За внесок у розвиток нанонауки та нанотехнологій» (2016).

Генеральний директор ПАТ "Мікрон"

Генеральний директор ПАТ "Мікрон"

У 1992 р. закінчила Московський Технічний Університет зв'язку та інформатики МТУСІ за спеціальністю «Економіка та управління у зв'язку», інженер-економіст. У 1996 році закінчила програму підвищення кваліфікації для керівних працівників галузі зв'язку Duke University. У 1997-2002 роках. пройшла стажування в компаніях: "Deutsche Telecom", "France Telecom", "Telstra". 2015 р. закінчила НДУ «Вища школа економіки». Пройшла професійну перепідготовку за програмою «Маркетинг та виробництво у цифрових медіа. Advanced». Кандидат економічних наук.
1992-2003 - спеціаліст з маркетингу, начальник відділу маркетингу, начальник відділу маркетингу та цінних паперів, начальник відділу розвитку бізнесу у ВАТ «Ростелеком», філія «Московський міжміський та міжнародний телефон».
2003-2005 – начальник управління маркетингу, заступник Комерційного директора, заступник Генерального директора – Комерційний директор ВАТ «Ростелеком». 2005-2007 - Заступник Генерального директора з комерційної діяльностіВАТ «Міжрегіональний Транзит Телеком».
2007-2011 – Генеральний директор ЗАТ «Скай Лінк».
2011-н. - Виконавчий директор Спілки операторів мобільного зв'язкуЛТІ.
2014-2016 – Президент ВАТ «Система Мас-Медіа».
З січня 2016 р. – Голова Ради директорів ВАТ «Система Мас-Медіа».
Січень-квітень 2016 р. - Призначена першим заступником Генерального директора ВАТ «НДІМЕ та Мікрон».
27 квітня 2016 р. - Призначена Генеральним директором ПАТ "Мікрон".

Лауреат низки галузевих рейтингів «Топ-1000 російських менеджерів» Асоціації менеджерів Росії (ТОП-3 2008), рейтингу провідних менеджерів ІКТ-галузі-2008 (ТОП-50 Агентства політичних та економічних комунікацій АПЕК), Рейтинг «Эхо Москвы» 100 Росії (2011), найвпливовіших ділових жінок Росії (ТОП-50 журналу «Фінанс» (2008, 2010р.), ТОП-100 журналу «Компанія» (ВД Родіонова, 2010р.), «200 найпрофесійніших комерційних директорів Росії-2003» (ТОП-20), «100 самих професійних кар'єру бізнесі та владі» Асоціації менеджерів Росії та газети «КоммерсантЪ» (2000-2004 рр.) та ін.

Перший заступник генерального директора – операційний директор ПАТ «Мікрон»

Перший заступник генерального директора – операційний директор ПАТ «Мікрон»

Народився 10 липня 1976 року в с. Серишеве Серишевського району Амурської області.
1998 року закінчив Військово-повітряну інженерну академію ім. професора Н.Є. Жуковського за спеціальністю « Автоматизовані системиуправління», інженер електронної техніки.
З серпня 1993 року до червня 1999 року служив у збройних силах РФ.
Трудову діяльність розпочав у жовтні 1999 року інженером – програмістом ЗАТ «Телмос», з листопада 2002 року до червня 2007 року працював спеціалістом з розробки ПЗ, системним архітектором, керівником групи, начальником відділу ВАТ «ВимпелКом».
З червня 2007 року до грудня 2008 – директор з інформаційним технологіямЗАТ "Скай Лінк".
З грудня 2008 року до квітня 2016 року послідовно обіймав посади керівника ряду великих компанійтелекомунікації та зв'язку:
12.2008 – 02.2010 Генеральний директор, заст. генерального директора – директор філії ЗАТ «Астарта»
02.2010 – 04.2011 Генеральний директор ВАТ «Московський Стільниковий Зв'язок»
06.2011 - 08.2012 Регіональний директор ВАТ «Вимпел-Комунікації»

09.2012 – 05.2014 Генеральний директор «Амедіа ТВ»
05.2014 – 02.2015 Генеральний директор «МТС – Супутникове ТБ»
02.2015 – 04.2016 Голова Ради Директорів «Оріон Експрес»
У квітні 2016 року призначений на посаду першого заступника генерального директора – операційного директора ВАТ «НДІМЕ та Мікрон».

Заступник генерального директора з розвитку бізнесу ПАТ "Мікрон"

Народився 17 лютого 1967 року.

Заступник генерального директора з розвитку бізнесу ПАТ "Мікрон"

Народився 17 лютого 1967 року.
У 1988 році закінчив Московський інститут інженерів залізничного транспорту за спеціальністю «Автоматика, телемеханіка та зв'язок на залізничному транспорті», інженер шляхів сполучення – електрик.
1988 – 1991рр. Інженер – наладчик Спеціалізованого будівельно-монтажного поїзда
1991 - 2000рр. Інженер з вимірювань та захисту, начальник лінійно-технічного цеху, головний інженер, перший заступник директора Воскресенського вузла електрозв'язку – філії ВАТ «Електрозв'язок» Московської області
2000 - 2001рр. Директор з розвитку бізнесу в Росії компанії «Шмід Телеком»
2001 -2003рр. Начальник відділу, директор Департаменту комплексного продажу ВАТ «Російська телекомунікаційна мережа»
2003 – 2012рр. Директор, заступник генерального директора Центральної філії ВАТ «Ростелеком», перший заступник генерального директора, старший віце-президент ВАТ «Ростелеком»
2012 – 2012рр. Генеральний директор ТОВ «ІН-ІНФОКОМ»
2015 – 2016рр. Виконавчий директор ТОВ «Телеком – Захист»
У травні 2016 року призначений заступником генерального директора з розвитку бізнесу ВАТ «НДІМЕ та Мікрон».

Заступник генерального директора з виробництва ПАТ "Мікрон"

Заступник генерального директора з виробництва ПАТ "Мікрон"

Народився 24 травня 1975 року у м. Тамбові.
Освіта вища, 1997 року закінчив Московський державний інститут електронної техніки (ТУ) за спеціальністю «Конструювання та технологія електронно-обчислювальних пристроїв», інженер.
Трудову діяльність у ВАТ «НДІМЕ та Мікрон» розпочав у 1997 році молодим фахівцем після закінчення інституту. Працював інженером-технологом, заступником начальника цеху, начальником цеху.
З березня 2005 по жовтень 2005 року обіймав посаду директора виробництва кристалів
У жовтні 2005 року у зв'язку з реорганізацією виробництва призначено на посаду начальника цеху, яку обіймав до жовтня 2009 року.
З жовтня 2009 року до травня 2016 року обіймав посаду начальника виробництва кристалів.
У травні 2016 року призначений заступником генерального директора з виробництва.

Заступник Генерального директора з фінансів та інвестицій ПАТ «Мікрон»

Народився 8 лютого 1973 року.

Заступник Генерального директора з фінансів та інвестицій ПАТ «Мікрон»

Народився 8 лютого 1973 року.
У 1995 році закінчив факультет автоматизації та інформатики Липецького державного технічного університету. У 1999р. – Липецька філія Всеросійського заочного фінансово-економічного інституту, спеціальність економіст.
Раніше працював на Новолипецькому металургійному комбінаті та в одному з бізнесів ДК Ренова на керівних посадахв фінансових службахкомпаній. За високі досягнення нагороджений найвищими корпоративними нагородами. У 2014-2015 рр. був Виконавчим віце-президентом RFP group, м. Хабаровськ. З 02.2017 призначений на посаду заступника Генерального директора з фінансів та інвестицій ПАТ «Мікрон».

Заступник генерального директора з управління комунікаціями ПАТ "Мікрон"

Науково-дослідний інститут молекулярної електроніки (НДІМЕ) та завод «Мікрон» був створений у 1964р. для розробки та промислового виробництвавітчизняних інтегральних мікросхем у м. Зеленоград

Сьогодні АТ «НДІМЕ та Мікрон» - головне підприємство групи компаній «Мікрон». Найбільш великий акціонерАТ «НДІМЕ та Мікрон» - ЗАТ «РТІ Мікроелектроніка».

"Мікрон" - найсучасніше за рівнем технологій та оснащеності мікроелектронне підприємство в Росії, найбільший виробник напівпровідникової продукції в СНД та Східній Європі. На підприємстві виробляється понад 500 видів мікросхем та напівпровідникових виробів. Продукція АТ "НДІМЕ та Мікрон" поставляється практично у всі регіони Росії, країн СНД, Китай та країни Південно-Східної Азії. На «Мікроні» працюють близько 1700 осіб, 43% працівників мають вища освіта, 31 особа науковий ступінь.

Стратегічна мета підприємства - зміцнення своїх позицій на внутрішньому ринку шляхом подолання технологічного відставання від світових виробників та створення у Росії сучасного виробництвамікросхем, здатного забезпечити вітчизняних споживачів мікроелектроніки, транспортних додатків, смарт-карт продукцією, що відповідає найвищим вимогам

З 2006 року ВАТ «НДІМЕ та Мікрон» реалізує проект модернізації виробництва, в рамках якого було здійснено унікальний трансфер та освоєння технології 180 нм EEPROM лідера європейської мікроелектроніки, компанії №5 у світі STMicroelectronics. Постачальниками обладнання та матеріалів, партнерами зі створення інфраструктури виступили понад 50 компаній із 12 країн світу. Серед них M+W Zander, Air Liquid, Hager+Elsasser, Applied Materials, ASML та інші. Сьогодні в «чистій кімнаті», відкритій у 2007 році, за даною технологією виробляють інтегральні схеми на пластинах 200 мм для транспортних та смарт-карт, чіпи пам'яті, прототипи інтегральних схем для соціальних та банківських карток, біометричні паспорти.

У 2012 році у партнерстві з державною корпорацією РОСНАНО реалізовано проект зі створення на базі ВАТ «НДІМЕ та Мікрон» виробничої лінійки інтегральних схем на основі наноелектронної технології з проектними нормами 90 нм на пластинах діаметром 200 мм. Технологічний партнер проекту – компанія STMicroelectronics. Запуск нової лінії дозволив наростити виробничу потужністьзаводу вдвічі до 36 тисяч пластин діаметром 200 мм на рік.
У 2014 році ВАТ «НДІМЕ та Мікрон» завершив розробку власної технологіїстворення інтегральних схем з топології 65 нанометрів та планує у 2015 році розпочати їх серійне виробництво.

«Мікрон» має потужну наукову та інженерну школу. Щороку 15-20% виручки компанії посідає дослідження та розробки, цьому напрямі роботи задіяні близько 400 людина. 12 співробітників раніше працювали за кордоном, 120 осіб пройшли навчання на найсучасніших заводах США, Європи та Японії. На «Мікроні» пройшло становлення двох академіків (АН СРСР та РАН) та чотирьох членів-кореспондентів.

Підприємство має близько 400 замовників у Росії та 100 за кордоном, співпрацюючи на постійній основі з більш ніж 60 галузевими та академічними НДІ та центрами проектування.

На ВАТ «НДІМЕ та Мікрон» впроваджено та підтримується система менеджменту якості, що задовольняє вимогам ISO 9001:2008. У 2008 р. «Мікрон» першим із російських виробників мікроелектроніки сертифікував виробництво за стандартами Системи екологічного менеджменту ISO 14001 та Системи енергетичного менеджменту ISO 50001-2011. Виробничий майданчик та лабораторна база «Мікрона» грають роль ядра, навколо якого відроджується російська «силіконова долина».

ДОСЛІДЖЕННЯ І РОЗРОБКИ

Головне підприємство групи компаній «Мікрон» має потужний R&D центр, що на постійній основі співпрацює з більш ніж 60 науковими центрами, технічними університетами та центрами проектування. Сьогодні в дослідному центрі мікро- та наноелектроніки із сучасною експериментальною та обчислювальною базою зайнято понад 400 осіб. Щорічно на НДДКР припадає близько 15% виторгу підприємства, що відповідає світовій практиці інноваційного бізнесу. ВАТ «НДІМЕ і Мікрон» створює сучасну інфраструктуру проектування складних інтегральних схем типу «система на кристалі», необхідну як Мікрону, а й іншим дизайн-центрам Росії.

Основні напрямки досліджень та розробок ВАТ «НДІМЕ та Мікрон»:

1. Дослідження та розробка елементної бази мікро- та наноелектроніки

EEPROM, КМОП 180-90 нм – транзистори, елементи енергонезалежної пам'яті

Польові емісійні наноструктури

Елементна база радіаційно-стійких КМОП НВІС на основі структур «кремній на ізоляторі»

Елементна база НВЧ БіКМОП НВІС на основі гетероструктур Si-Ge

Освоєння методів приладно-технологічного моделювання нової елементної бази

Розробка елементної бази польової емісійної мікронаноелектроніки (ПЕМ)

Основні характеристики розробок:

Транспорт електронів балістичний: здійснюється у вакуумі, тому відсутні втрати швидкості та потужності при зіткненнях у транспортному середовищі

Рада директорів ВАТ «НДІМЕ та Мікрон», найбільшого російського виробника інтегральних мікросхем та RFID-продукції, що входить до галузевого холдингу ВАТ «РТІ» (АФК «Система»), своїм рішенням призначив Гульнару Хасьянову генеральним директором «Мікрона». Академік РАН Геннадій Красніков обійме посаду голови Ради директорів компанії. Він також продовжить обіймати посаду генерального директора АТ «НДІ молекулярної електроніки».

Під керівництвом Геннадія Красникова на «Мікроні» було успішно здійснено науково-технологічний прорив, який сьогодні визначає незалежність Росії у сфері застосування елементної бази для сучасних банківських технологій, систем ідентифікації, транспорту та логістики, індустріальної та спеціальної електроніки для ОПК та космічної галузі. На нових виробничих лініях успішно поставлено технології 180-90-65нм та освоєно в серійне виробництвоУнікальні вироби електронної техніки, що визначають сучасний рівень високотехнологічного сектора економіки РФ.

Основним завданням Гульнари Хасьянової на посаді генерального директора "Мікрона" стане розширення масштабів бізнесу підприємства за рахунок подальшої комерціалізації нових технологічних можливостей. Крім розвитку продажів нової конкурентоспроможної продукції «Мікрона» на російському і світовому ринку, а також надання російським дизайн-центрам широких можливостей з локалізації виробництва їх виробів на російській фабриці, ми плануємо в найближчому майбутньому вийти на новий рівень вже в області інтеграції. Це буде перехід від традиційного серійного продажу мікросхем до розробки та постачання закінчених системних рішень, заснованих на вітчизняній мікроелектроніці. Упевнена, такий підхід не тільки стимулюватиме процеси імпортозаміщення в технологічному секторі економіки, а й вплине на інноваційний розвиток Росії», - прокоментувала Гульнара Хасьянова своє нове призначення.

Геннадій Красніков на посаді генерального директора АТ «НДІ молекулярної електроніки» зосередиться на розвитку наукової школи, що вже сформувалася, в галузі досліджень та розробки нових технологій створення сучасних інтегральних мікросхем. Перехід на нові топологічні розміри, забезпечення подальшої розробки нових виробів неможливі без створення відповідної науково-технологічної бази. Для вирішення актуальних завдань сучасної та перспективної мікроелектроніки на базі АТ «НДІ молекулярної електроніки» та інститутів РАН ми створили консорціум – свого роду «сплав» наукового та виробничого потенціалу провідних організацій галузі, синергія якого стане заділом для подальшого розвитку вітчизняної мікроелектроніки та забезпечить постановку у виробництво нових виробів», – прокоментував Геннадій Красніков.

ПРО КОМПАНІЮ

ПАТ "МІКРОН"

ВАТ «НДІ молекулярної електроніки та завод «Мікрон»- Найбільший виробник чіпів у Росії та СНД, утворений у 1964 році. Компанія виконує повний цикл виготовлення чіпів, що включає проектування, кристальне виробництво, збирання та продаж. Займає 28% ринку мікроелектронних компонентів для високотехнологічних підприємств Росії та є найбільшим російським експортеромчіпів.

У 2005 році «Мікрон» розпочав інвестиційну програму із запуску унікальних для Росії проектів:
Перехід на рівень 0,18 мкм у 2006 році - зміцнення технологічного лідерства у російській мікроелектроніці;
Складання чіп-модулів для смарт-карт та електронних документівз весни 2006;
Відкриття нового Центру проектування у травні 2005 р. Скорочення термінів проектування та підвищення рівня складності проектів. Здійснення ролі інтегратора розробок російських компанійу галузі мікроелектроніки.

Нові виробництва будуть, зокрема, орієнтовані випуск електронної сторінки для біометричних паспортів.